IBM представила на конференции в Греции проект Theseus. Он представляет собой комбинацию традиционной NAND-флэш памяти и перспективной памяти с фазовым переходом. Такое сочетание может привести к появлению сверхбыстрых накопителей, которые по скорости работы будут превышать показатели SSD с интерфейсом PCI Express в 275 раз.
Работа памяти с фазовым переходом основана на смене структуры вещества с кристаллической решетки на аморфную организацию частиц. Ожидается, что каждая ячейка такой памяти может быть перепрограммирована миллион раз. Кроме того, каждая ячейка за счет не полной, а частичной смены структуры может хранить не один бит данных, а несколько.
Комбинация двух типов памяти позволит значительно ускорить накопители. Ожидается, что время отклика при чтении будет исчисляться в 100-300 наносекунд, а записи — 10-150 микросекунд.
IBM намерена еще несколько раз в этом году показать новую технологию. Компания ожидает, что фазовая память появится на рынке в 2016 году.
