Университет Райса, по слухам, близок к лицензионному соглашению с производителем памяти. Последний приобретает у разработчиков лицензию на выпуск RRAM-памяти.
RRAM — аналог флэш-памяти, правда, в отличие от привычных накопителей, в ней используется в качестве средства хранения данных не заряд транзистора, а его сопротивление.
Ранее ограничением для производства RRAM служила необходимость наличия высоких температур и высокого напряжения. Ученые из Университета Райса создали технологию, которая позволяет выпускать RRAM при комнатной температуре и использованием низкого напряжения, что делает реальным массовое производство данного типа памяти.
RRAM обладает значительно большей плотностью записи по сравнению с флэш-памятью. Экспериментальные образцы накопителей демонстрируют возможность хранения терабайтов данных на чипе стандартного размера.
