Samsung начала массовое производство модулей памяти DDR4 емкостью 64 Гбайта. Регистровая двухканальная память RDIMM имеет трехмерную компоновку.
Модуль имеет 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых имеет емкость 4 Гбита. Они выпускаются по 20-нм техпроцессу Samsung с использованием технологии 3D TSV. Она предполагает вертикальные соединения между слоями с ячейками памяти.
Толщина каждого слоя составляет несколько дюжин микрометров. Они имеет сотни отверстий для электродов, которые связывают между собою слои. В итоге такие чипы работают также быстро, как и обычные, при этом расходуя примерно в два раза меньше энергии.
