Ученые смогли сделать транзистор, толщиной всего в три атома. Для нового техпроцесса используется материал под названием TMD, который может формировать пленки буквально в атом толщиной.
TMD уже известны довольно давно, однако впервые ученым удалось вывести их на технологический уровень. Они разработали способ их стабильного получения, а также производства на их базе различных микроустройств. В будущем благодаря TMD могут появиться ультратонкие полупроводники, в том числе сенсоры, процессоры и другая электроника.
Современные чипы уже вплотную приблизились к физическим пределам кремния. Сейчас ведется активный поиск материалов, которые могли бы заменить его в полупроводниках. Среди наиболее вероятных «претендентов» называют графен, но TMD также имеет большой потенциал, что и доказывают результаты нового исследования.
Метод производства TMD, описанный учеными, предполагает использование диеэтилсульфида и металлического гексакарбонила, которые путем испарения наносятся на кремниевую подложку и запекаются при 550 градусах в течение 26 часов в присутствии водорода. В результате получается слой из 200 ультратонки транзисторов с хорошей проводимостью и всего несколькими дефектами. Лишь два транзистора оказались неспособны пропускать электрический ток. На данный момент это лучший результат по производству TMD.
