Samsung начала массовое производство чипов памяти LPDDR4 емкостью 12 Гбит. Они предназначены для мобильных устройств и выпускаются по техпроцессу 20 нм. Плотность микросхем увеличена на 50% по сравнению с существующими.
Они позволят увеличить емкость оперативной памяти смартфонов до 6 Гбайт. Сейчас Galaxy Edge S6+ имеет на борту 4 Гбайта, а 3 Гбайта оперативной памяти уже стали стандартом для топовых моделей.
Новые микросхемы также позволят сделать компактнее системные платы 3-гигабайтных смартфонов. Теперь понадобится устанавливать только два чипа, а не четыре, что позволит уменьшить толщину аппаратов.
Samsung также утверждает, что новые чипы на 30% быстрее предыдущего поколения, обеспечивая пропускную способность до 34 Гбит/с на 64-битной шине.
