Компания Samsung анонсировала новые сверхбыстрые флэш-накопители емкостью 256 Гбайт, предназначенные для смартфонов и планшетов высшей ценовой категории.
Новая чипы работают по интерфейсу UFS 2.0 и по скорости чтения превосходят большинство популярных твердотельных накопителей с интерфейсом SATA III. Согласно официальным данным, скорость чтения может достигать 850 Мбайт/с, записи - 260 Мбайт/с.
Первым смартфоном Samsung с 256 Гбайтами памяти может стать флагманский Galaxy Note 6, анонс которого ожидается в августе 2016 года. При этом вариация с таким объемом может выйти ограниченным тиражом и будет очень дорогой.
Напомним, Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge в максимальной комплектации имеют 128 Гбайт памяти.
