Samsung объявила об окончании работ по созданию модулей DDR4. Новый тип оперативной памяти планируется выпускать по техпроцессу 30 нм.
Новая память может обеспечивать пропускную способность в 2.133 Гбит/с при напряжении питания 1.2 В. Для сравнения используемая сейчас память DDR3 обеспечивает в среднем 1.600 Гбит/с при питании в 1.35 или 1.50 В. Таким образом, потребление энергии подсистемы памяти типичного ноутбука с внедрением DDR4 должно снизиться на 40%.
Новые модули Samsung используют технологию Pseudo Open Drain, которая ранее применялась для высокопроизводительной графической памяти. Она и позволяет значительно снизить напряжение питания. DDR4 будет иметь пропускную способность от 1.6 до 3.2 Гбит/с. В то время как DDR3 обеспечивает не более 1.6 Гбит/с, а DDR2 и вовсе 1066 Мбит/с.
Первые 2 Гбайт модули DDR4 отправлены компанией на тестирование. Ожидается, что стандарт DDR4 будет утвержден во второй половине года. Тогда же начнется его внедрение.
