Ученые продолжают искать материалы и способы преодолеть ограничения, накладываемые физической структурой кремния на размеры транзисторов в микропроцессорах.
В новой работе использовалась комбинация материалов, которая открывает еще одно направление в посткремниевых поисках. Ученым удалось сделать затвор транзистора размером 1 нм, использовав углеродную нанотрубку. Также в «конструкции» транзистора задействован дисульфид молибдена. Несмотря на то, что затвор оказался очень маленьким, остальные компоненты транзистора значительно крупнее.
Дисульфид молибдена замедляет движение электронов по сравнению с кремнием, что позволяет снизить утечки при мелких размерах транзистора. Производительность системы может снижаться, но ее размеры уменьшаются и возрастает стабильность работы. Также дисульфид молибдена позволяет создавать структуры толщиной в один атом.
Таким образом, в транзисторе, разработанном учеными, дисульфид молибдена выступает в качестве полупроводника, затвор — углеродная нанотрубка, а сток и исток могут быть сделаны из никеля или других материалов.
К сожалению, и дисульфид молибдена и нанотрубку достаточно сложно разместить в необходимом месте, поэтому технологически изготовление такого транзистора также несет определенные вызовы. Трудно рассчитывать на массовое производство в ближайшем будущем.
