Samsung Galaxy S8 может стать одним из первых смартфонов с 8 Гбайтами оперативной памяти, изготовленной по 10-нанометровой технологии. Также устройству приписывают новую сверхбыструю флэш-память UFS 2.1 со встроенной криптографической системой. При этом версия в максимальной конфигурации может получить 256 Гбайт памяти.
Высокую производительность обеспечит восьмиядерный процессор Qualcomm Snapdragon 835. Также будет версия на базе сопоставимого по характеристикам процессора Exynos нового поколения.
К выпуску готовится две версии устройства. Одной достанется 5,1-дюймовый экран с разрешением 2560х1440 пикселей, другой — симметрично изогнутая матрица с диагональю 6 дюймов. Обе модели порадуют камерой с двумя объективами.
Презентация Galaxy S8 состоится в конце февраля на выставке MWC 2017 или в апреле на собственном мероприятии компании.
