Samsung намерена в следующем месяце представить новый тип памяти. MRAM или магнито-резистентная память обещает увеличение скорости чтения и записи до 1000 раз по сравнению с существующими образцами NAND Flash.
В MRAM для записи данных используется изменение спина электронов. К достоинствам новой оперативной памяти также относится низкое энергопотребление во время работы и отсутствие потребления энергии в состоянии покоя.
Плохой новостью является то, что Samsung пока может произвести лишь считанные мегабайты MRAM. В итоге она будет использоваться только для кэш-памяти процессоров. Лишь в среднесрочной перспективе объемы производства станут достаточными, чтобы использовать MRAM в потребительских продуктах.
