TSMC рассекретила свой первым чип, для создания которого будет частично задействована экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV).
Компания заявила, что уже создала чип N7+, который может использовать EUV на четырех уровнях, а в апреле планирует приступить к производству 5-нанометрового N5 на 14 слоях. Первыми его получат автомобильные производители.
Новая технология позволила увеличить плотность транзисторов в 16,8 раз по сравнению с 40-нанометровыми решениями. Если же сравнивать с ядрами ARM Cortex-A72, то плотность увеличилась на 20%, а потребление энергии снизилось на 6-12%.
N5 порадует не только еще большей плотностью, но и прибавкой производительности на 14,7-17,7%. Однако необходимые для работы с ним компоненты будут готовы только к июню.
