Toshiba и Sandick объявили о создании 64-гигабитного модуля двухячеечной флэш-памяти по 19-нм техпроцессу. Данная память будет использоваться для производства накопителей и оснащения встроенных систем. Учитывая размеры чипов, она также найдет применение в мобильных устройствах.
Память производится на совместном предприятии компаний, расположенном в Японии.
Помимо самого тонкого техпроцесса для памяти, новинка отличается еще и рядом усовершенствований в плане структуры. Проприетарные алгоритмы работы с данными позволяет многоуровневой флэш-памяти сохранять высокую производительность и надежность.
Массовое производство 19-нм памяти должно начаться во второй половине года.