Intel занимается разработкой новых транзисторов уже более 10 лет. Первые достижения датированы еще 2002 годом. И вот в 2012 году по новому техпроцессу 22 нм будут выпускаться чипы с совершенно иными транзисторами.
Проблема современных транзисторов состоит в том, что по мере уменьшения их размеров, уменьшается и проводящий слой. При техпроцессе 22 нм он становится настолько мал, что поток электронов, проходящий через него, можно признать незначительным. При этом возрастают утечки.
Intel было необходимо изобрести новый транзистор, конструкция которого позволяла бы обойти это узкое, в буквальном смысле, место.
Новая разработка компании позволяет решить обе проблемы. В новых транзисторах изменена их форма. Если традиционные транзисторы можно назвать плоскими, то эти — трехмерные. Затвор здесь имеет П-образный вырез, в котором находится «палец» кремниевой подложки. Вокруг этого «пальца» проходит проводящий слой. За счет этого появилась возможность увеличить его толщину, оставшись в пределах технорм и решив проблему уменьшения потока электронов. Также подобная конструкция позволяет использовать меньшее напряжение питания. Кроме того, в новых транзисторов на 37% выросла скорость переключения затвора.
