FeTRAM — новый тип быстрой и экономичной памяти, который в один прекрасный момент может придти на смену флэш-памяти. В FeTRAM используется комбинация кремниевых нанотрубок с ферроэлектрическим полимером. Этот материал способен менять полярность под действием электрического поля, что позволяет сделать транзисторы нового типа. Изменение полярности транзистора будет читаться как 0 или 1.
Сейчас память находится на ранних стадиях разработки. Ученые сформулировали теоретическую часть, а также провели эксперименты, которые доказывают работоспособность предложенной схемы.
Потенциально FeTRAM может использоваться на 99% меньше энергии, чем флэш. Правда, пока экспериментальные образцы требуют значительно больше энергии, так как еще недостаточно масштабированы. Одной из особенностей нового типа памяти является ее долговечность. Она сможет служить 10-20 лет.
Кроме того, FeTRAM полностью совместима с техпроцессами, принятыми в индустрии, что облегчит освоение ее производства.
