В течение двух лет Micron и IBM намерены начать выпуск трехмерных чипов памяти DRAМ. Партнеры обещают 10-кратный рост производительности. Новая память будет состоять из элементов Micron Hybrid Memory Cube (HMC), представляющих собой несколько чипов, наложенных один на одного и имеющих вертикальные соединения.
Пропускная способность такой памяти составит 128 Гбайт/с. Для сравнения самая быстрая DDR3 сегодня способна обеспечить лишь 12.8 Гбайт/с. Дополнительное преимущество — снижение потребления энергии. Micron HMC требует на 70% меньше. Кроме того, уменьшается площадь микросхем.
Выпуск памяти будет налажен на фабрике IBM в США. Он будет осуществляться по 32-нм техпроцессу с использованием транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком с повышенной диэлектрической проницаемостью. На первом этапе покупателями памяти выступят производители серверов и суперкомпьютеров, а также промышленных решений. Лишь затем трехмерная памяти появится в потребительской электронике и ПК.
