Samsung недавно показала баристоры — графеновые транзисторы с барьером Шоттки, которые позволят в будущем получать чипы с частотой 300-1000 ГГц. Однако до появления этих процессоров на рынке еще очень далеко./p>
Сочетание графена с кремнием может найти путь к потребителю намного раньше. Материал получил название силицен. Это еще один способ превратить полуметалл в графен в полупроводник. Графен обладает высокой подвижностью электронов, что с одной стороны обещает высокие частоты, но усложняет закрытие затвора в транзисторы. В чистых графеновых транзисторах Samsung предлагает использовать барьер Шоттки.
Исследователи из университета Пенн разработали друге решение. Они нарастили тонкий слой графена на слое нитрида бора. Последний является более тонким, чем слой графена. Это позволяет значительно снизить подвижность электронов. Правда, она оказывается всего в 2-3 раза выше, чем у кремния. Это не самый лучший результат. Он намного хуже, чем у баристоров Samsung. Достоинство нового материала в том, что из него можно изготавливать обычные транзисторы, а не новые элементы, каковыми являются баристоры. Таким образом, технология может быть реализована в обозримом будущем, раньше, чем разработка Samsung.
