Исследователи из Лозанны создали первый прототип памяти с элементами, размер которых не превышает размер атома. Они использовали графен и дисульфид молибдена. Отдельные части прототипа собирались под микроскопом вручную, поэтому говорить о сколько-нибудь скором внедрении технологии не говорится.
В прототипе флэш-памяти два слоя графена размещаются на кремниевой подложке. Между слоями существует минимальный зазор. Графен выступает в качестве электрода. Он покрыт одномолеклульным слоем дисульфида молибдена, который является полупроводником. Следующий элемент — изолятор, который позволяет электронам проходить через него и отделяет проводник от резервуара заряда. Чтобы хранить заряд используется еще несколько слоев графена. Наверху имеется еще один слой изолятора и другой электрод.
Изолятор, используемый в этой работе имеет толщину больше атома, а для создания резервуара используется несколько слоев графена. Однако все равно это крайне тонкое устройства. Потенциально оно может быть еще тоньше.
Прототип полностью рабочий. Его создателям удалось провести 120 циклов записи/удаления информации после этого он продолжает работать. По их расчетам память получается довольно долговечной, через 10 лет устройство сохранит до 30% заряда.
