Toshiba разработала светочувствительную пленку высокого разрешения, необходимую для применения в экстремальной ультрафиолетовой литографии, используемом при производстве полупроводников. Таким образом, компания первой смогла достичь техпроцесса с нормами в пределах 20 нм.
Пленка, используемая в промышленности в данный момент, не позволяет из-за своей молекулярной структуры создавать полупроводники с нормами в пределах 20 нм. Toshiba удалось разработать более мелкую молекулярную структуру этой важного элемента технологии производства полупроводников.
Помещенная на пластину, такая пленка в зависимости от позитивного или негативного типа процесса, испаряется, давая лазеру возможность создавать транзисторы и другие элементы микросхем. Ожидается, что новая пленка и технормы масштаба 20 нм будут массово применяться после 2013 года.
